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PRB超聲波相控陣試塊NB/T47013.15-2021標準

一、PRB系列試塊：使用與I型在制和在用金屬材料制承壓設(shè)備焊接接頭相控陣超聲檢測，當試塊滿足檢測需求時，也可采用NB/T47013.3所述的CSK-IIA系列試塊，使用范圍按NB/T47013.3的規(guī)定執(zhí)行，不適用于內(nèi)徑不大于200mm的管座角接頭檢測。

PRB-I          對接的焊接接頭的厚度范圍            6-30

PRB-II          對接的焊接接頭的厚度范圍            30-120

PRB-III         對接的焊接接頭的厚度范圍            120-150

PRB-IV          對接的焊接接頭的厚度范圍            150-200

二、技術(shù)特征：

1.一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，該試塊包括試塊基體(1)、吸聲材料(3)和多個橫通孔；其中，多個橫通孔水平貫穿試塊基體，多個橫通孔沿試塊基體的橫向間隔設(shè)置，并且多個橫通孔(2)的高度均布相同，吸聲材料(3)設(shè)置在試塊基體(1)的拐角處。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述試塊基體(1)的材質(zhì)和上下表面的粗糙度與待檢測工件一致。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述橫通孔的高度按照等差數(shù)列依次排布。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，相鄰兩個橫通孔之間的橫向間距為

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述試塊基體為矩形，吸聲材料(3)呈l型，設(shè)置在試塊基體的底部的兩個直角位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述吸聲材料(3)靠近試塊基體的一側(cè)設(shè)置有消聲槽。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述消聲槽為設(shè)置在吸聲材料側(cè)壁上的鋸齒槽。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述吸聲材料(3)與試塊基體的聲阻抗相同。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種相控陣超聲校準試塊，其特征在于，所述試塊基體上設(shè)置有用于表示每個橫通孔高度、折射角極小值和和折射角極大值的刻度標識。

10.一種權(quán)利要求1-9任一項所述的一種相控陣超聲校準試塊的校準方法，其特征在于，將相控陣超聲(5)耦合在試塊基體的上表面，并橫向移動找到距離試塊基體的上表面最小的橫通孔(2)在相控陣超聲(5)最小折射角下的最高回波，然后根據(jù)該橫通孔的刻度標識作為輔助快速找到其最高回波；然后根據(jù)上述方法依次掃查不同高度的橫通孔(2)，實現(xiàn)了一次耦合獲得不同高度橫通孔及其對應(yīng)的不同角度相控陣超聲折射角的測定。

三、技術(shù)總結(jié)

本發(fā)明公開了一種相控陣超聲校準試塊及校準方法，該試塊包括試塊基體、橫通孔、吸聲材料、刻度。其中試塊基體正面為矩形，橫通孔垂直于試塊基體正面，吸聲材料設(shè)置在試塊基體的左下角和右上角，刻度在試塊基體的上表面和下表面。本發(fā)明通過將不同深度的橫通孔在橫向錯開設(shè)置，實現(xiàn)了在一次耦合中、沿著試塊上表面或下表面橫向掃查便可獲得不同深度、不同折射角的相控陣超聲的橫通孔回波，實現(xiàn)了TCG的有效校準，減少了測量時間，精簡了校準程序；通過在左下角和右上角設(shè)置吸聲材料和消聲槽，大大降低了試塊的端角反射回波，使得即使橫通孔離試塊端角較近，端角回波也不會對橫通孔回波造成嚴重干擾；通過在試塊上表面設(shè)置刻度，實現(xiàn)了不同深度橫通孔及其對應(yīng)的不同角度相控陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準確確定。陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準確確定。陣超聲折射角的探頭耦合位置的快速準確確定。RB超聲波相控陣試塊NB/T47013.15-2021標準